(华强电子世界网讯)富士通公司已经推出两款1.8V闪存，适合需要大容量、高速低功率存储器的移动通信产品。
    
     MBMN29BS12DH是NOR型128Mb器件，它采用阵发模式，可降低功耗。这款80球FBGA上电后仅需46ns (80MHz)即可从固定地址输出数据。阵发模式的访问时间为8.5ns。
    
     MBMN29BS12DH采用该公司的0.13微米CMOS工艺制造，具有4槽结构，在读数据时电流消耗为30mA，在写数据/删除时的电流消耗为40mA。待机电流为2微安。MBM29SL800TE 8Mb器件采用x8 I/O结构，封装形式为45球超级CSP。另一款名为MBM29SL800BE的存储器则采用x16 I/O结构。