（华强电子世界网讯）东芝(Toshiba)开发的移动DiskOnChip G3闪存盘据称是第一种基于多层单元(MLC)的NAND闪存硅和M-Systems公司X2技术的存储器。
    
     该闪存采用7×10mm BGA封装，是为手机和PDA设计的。它在一块硅片上做了512Mb(64MB)的东芝0.13微米MLC NAND闪存、一个超薄控制器和执行启动块。MLC NAND在每个单元存储2位数据，而单NAND闪存每单元只存1位数据，硅的存储量翻倍。
    
     该闪存盘还可多水平工作、支持DMA、MultiBurst工作、最大突发读速度高达80MBps，这对快速系统启动和多媒体信息服务中的大文件传送至关重要。
    
     闪存盘的其它特点包括：MLC闪存技术专用的错误检测和纠错码和耗流10uA的深度电源关断模式。