（华强电子世界网讯）赛普拉斯半导体、Infineon技术公司和Micron技术公司日前宣布合作开发CellularRAM存储器规范。CellularRAM是一种新型多代（multi-generation）低功耗伪静态随机存取存储器（PSRAM），用于无线手机。此次联合开发的目的是基于联合开发的CellularRAM存储器规范，使客户能够从多个供应商处获得管脚和功能都兼容的产品。每家公司都将采用自己的设计方法和工艺技术来设计和制造自己的产品。
    
     CellularRAM存储器用来满足将来2.5G和3G手机不断增长的存储量和带宽需求。除了比现有解决方案更低的成本/比特比率以外，这种新型的PSRAM还具有与SRAM管脚兼容、无需外部更新操作和低功率设计等特色。
    
     CellularRAM存储器为无线手机设计者提供了所有DRAM产品所具有的优势，具有更高的成本效益、更高的密度和更低的功耗，配备标准的SRAM接口。CellularRAM存储器为设计人员提供了一种具有高成本效益的解决方案，使其能为下一代无线应用设计出高性能的存储器。
    
     CellularRAM存储器以单个晶体管DRAM单元为基础，它与传统SRAM和6晶体管（6T）的SRAM单元相比具有显著优势，它采用了DRAM技术但大大缩小了DRAM单元的尺寸。这些产品钟频高达108MHz，内部延时60ns，峰值带宽高达216MB/s（1.6Gb/s）。CellularRAM存储器还具有突发读写模式，这种模式仿效英特尔W18和Micron Flash Burst兼容协议，与各种I/O电压选项兼容。
    
     Infineon和Micron计划在未来12个月内制作出几个CellularRAM样品器件。第一个器件是32Mb的，结构为2M X16，定于2002年年末提供。16Mb和64Mb器件结构分别为1M X 16和4M X 16，将紧随其后提供。这三家公司将协同工作，来定义下一代CellularRAM产品——128Mb器件，并计划在2003年第二季度推出该产品的样片。