（华强电子世界网讯）安森美半导体不断利用创新技术，贯彻其提供高性能器件的承诺，该公司新发布一项独有沟槽处理技术，与当前市场上的其他沟槽处理技术相比，平均可改善导通电阻40%。
    
    

该公司于年底之前推出采用此项创新沟槽处理技术的P型通道和N型通道MOSFET完整系列。最初几款器件将于本季度推出，针对便携和无线产品中的负载管理、电路充电、电池保护和直流-直流转换等应用。接下来将推出面向计算机和汽车应用的高性能沟槽为本的器件。
    
     安森美半导体独有的沟槽处理技术实现了业界最高的通道密度，在给定的封装占位面积下具有极佳的导通电阻（Rds(on)）性能。例如，安森美半导体将生产的ChipFET封装（1.8 mm x 3.3 mm）8伏（V）P型通道和20伏P型通道产品的导通电阻分别为19毫欧（mOhms）和21毫欧。与目前相同封装尺寸的产品相比，在4.5伏栅极电压下这些电阻值平均改进了40%。而安森美半导体将推出的Micro-8LL（3.3 mm x 3.3 mm）、TSOP-6（3 mm x 3 mm）与SC-88（2.0 mm x 2.0 mm）封装MOSFET的导通电阻也有相同比例的改进。
    
     安森美半导体的首批沟槽半导体器件将于3月开始提供样品。