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飞兆半导体新型沟道IGBT器件具有优异的导电和开关性能

来源:http://news.hqew.com/info-123021.html 发布时间:2002-09-19

摘要: (华强电子世界网讯)飞兆半导体公司日前推出的1000V沟道IGBT产品FGL60N100D,进一步增强了业界种类最多 (600V~1700V) 具有FRD (快速恢复二极管) 的co-pak IGBT系列产品,这些产品适用于电磁炉、电饭煲、微波炉及其...

    

(华强电子世界网讯)飞兆半导体公司日前推出的1000V沟道IGBT产品FGL60N100D,进一步增强了业界种类最多 (600V~1700V) 具有FRD (快速恢复二极管) 的co-pak IGBT系列产品,这些产品适用于电磁炉、电饭煲、微波炉及其它高功率感应加热电器。
    
     这种新型1000V 器件能为准谐振和单端拓扑提供了足够的电压余量,与采用平面门结构的IGBT相比, FGL60N100D的沟道技术具有优异的导电性能 (Vce (sat) = 2.5V @ Ic = 60A),以及高速开关性能 (高达50KHz)。FGL60N100D内置的快速恢复二极管简化了产品的拓扑结构,降低了成本。飞兆半导体的600V~1700V系列 IGBT能满足不同的感应加热拓扑需求。1000V FGL60N100D是下一代沟道IGBT产品的代表,它通过降低饱和电压,减少传导损耗。
    
     该系列器件现已提供样品,可批量订购,交付周期为12周或以上。其订购1000片时建议售价为4.00美元/片。
    
(编辑 Maggie)
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