英飞凌和东芝共同开发32Mb FRAM

来源：http://news.hqew.com/info-123125.html 发布时间：2003-03-05

摘要： （华强电子世界网讯）英飞凌和东芝共同开发据称是最大容量的32Mb铁电RAM(FRAM)。这种32Mb的FRAM采用0.2um CMOS工艺技术形成链式单元结构，将8个单元链接成一个单元块。每个单元形成一个铁电电容和一个平行FET，而不是通常的串联连接...

    （华强电子世界网讯）英飞凌和东芝共同开发据称是最大容量的32Mb铁电RAM(FRAM)。这种32Mb的FRAM采用0.2um CMOS工艺技术形成链式单元结构，将8个单元链接成一个单元块。每个单元形成一个铁电电容和一个平行FET，而不是通常的串联连接。

     其它变化还包括插入电容技术、三层金属工艺和新电路设计，改善数据可靠性，防止打开电源产生的噪声，使待机电流低。

     FRAM平面积96mm2，是常规FRAM的一半，工作电压3V至2.5V。存取时间50ns，周期75ns。

（编辑 Rita）

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