(华强电子世界网讯)意法半导体日前宣布一项突破性的硅片发光器技术的细节，该技术可与砷化镓(GaAs)等传统的发光半导体复合材料的发光效率相媲美。这种技术为单片上集成光电功能开创了多种潜在应用，过去，这是根本不可能的，因为，虽然硅片是制作存储器、微处理器和其它复杂电路的理想选择，但是，它无法用作高效的发光器。
    
     意法半导体(ST)总部技术研发中心的GianGuido Rizzotto表示：“在一个成本低、产量大的硅片上集成光电处理技术的能力，为我们率先开发新型半导体产品提供了巨大的机遇，特别是当这种技术符合现有的批量生产流程及设备时，我们所获得的机遇会更大。我们已经发现若干个前途光明的应用，而且已经解决了关键的生产问题，因此，这种技术很快就会投产”。
    
     意法半导体称其光发射新技术创下了发光效率的世界记录，这项技术基于一种创新的结构，在一层富含硅的氧化物(SRO)内，如富含1-2纳米直径的晶硅二氧化硅，注入稀土金属铒、铈等的离子。这项创新技术的研发小组负责人Salvo Coffa说： “该技术实现的量子效率比以前使用硅实现的效率提高大约100倍，而且，在发光技术史上，第一次能够与发光二极管传统制造所使用的砷化镓以及其它复合半导体的发光效率相媲美。”
    
     生产功率控制器件是这项新技术的首要应用之一，在这些器件中，控制电路与电源开关晶体管必须保持电隔离状态。目前，因为安全的原因，电隔离在很多应用领域已经成为必要条件，但是，目前电隔离只能通过使用外部器件如继电器、变压器或分立光耦合器来实现，因而增加了器件的成本、功耗或体积。
    
     在长远目标中，意法半导体正在系统地研究高级CMOS电路使用的集成光数据传输系统，在这种电路中，时钟信号以光速在芯片上传播，此外，意法半导体还在研究用于密集波分复用光纤通信(DWDM)的低成本集成器件。