NEC的NOR闪存页访问时间为25ns

来源：http://news.hqew.com/info-123056.html 发布时间：2002-10-23

摘要： (华强电子世界网讯)NEC公司的μPD29F256415和μPD29F256115 256Mb NOR闪存的页访问时间25ns，适用于移动通信设备。它采用0.15微米CMOS工艺，其内核电压1.8V，I/O容差3.3V。读/写期间耗流30mA至35m...

    (华强电子世界网讯)NEC公司的μPD29F256415和μPD29F256115 256Mb NOR闪存的页访问时间25ns，适用于移动通信设备。它采用0.15微米CMOS工艺，其内核电压1.8V，I/O容差3.3V。读/写期间耗流30mA至35mA，静态耗流25uA。

     μPD29F256415有8Mx32或16Mx16配置，μPD29F256115有16Mx16配置，都采用64球型11x9mm BGA封装。

     该产品的样品价格为40.45美元(仅供参考)。

（编辑 Tina）

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