（华强电子世界网讯）英飞凌科技公司（Infineon）昨天宣布，面向下一代采用双倍数据率（DDR2）动态随机存储器（DRAM）的服务器模块的业界第一款高级内存缓冲（AMB）测试芯片已顺利通过测试。AMB是完全缓冲双列直插式内存模块（FB-DIMM）的核心部件，FB-DIMM将会成为服务器内存的新标准。通过融合其在高频芯片设计方面的专业知识和DRAM技术，实现完善的解决方案，英飞凌公司取得了AMB和FB-DIMM开发领域的领袖地位。
    
     DDR2、DDR3等高速DRAM技术的不断推出，以及服务器中存储和处理的数据量越来越多，不可避免地造成了技术困难，而这需要新颖的创新性服务器内存架构来解决。目前使用的内存模块以并行方式直接接入总线（多位总线架构）。FB-DIMM信道架构则在内存控制器与信道中的第一个模块以及信道中的其余模块之间实现点到点连接。这种方式使得总线负载独立于DRAM输入/输出（IO）速度，从而同时获得了高内存容量和高速DRAM。每个FB-DIMM上的AMB芯片负责收集来自DIMM 的DRAM数据以及将数据分配给这些DRAM，在芯片上进行内部数据缓冲，并将数据转发至下一个DIMM或内存控制器或接收来自它们的数据。因此，缓冲芯片是新的FB-DIMM内存架构开发中的重要环节。
    
     英飞凌公司的AMB测试芯片在自有逻辑处理技术里，首次实现了至关重要的高速输入/输出级和其他高速功能，例如数据插入和数据转发电路。FB-DIMM标准能够支持六倍的数据多路复用，从而可以更快的速度实现缩小内存通道的物理宽度以及最大限度缩短数据传输延迟时间。Jedec标准规定DDR2 800内存的最高必备数据率为每IO针4.8 Gb/s。英飞凌公司的AMB测试芯片的运行速度则已经达到6.0 Gb/s，提供了相当大的系统裕度，并确保了最低误比特率。通过实现这个重大的开发成就，现在，英飞凌公司能够利用实际测得的数据进一步优化电路设计。
    
     计划将于2004年第四季度推出适用于DDR2 DRAM的FB-DIMM的设计样品，并定于2005年下半年进行市场发布。