（华强电子世界网讯）安森美半导体日前推出双N通道共漏极功率MOSFET—NTLTD7900，对手机、寻呼机和PDA等便携电子设备的锂离子（Li-ion）电池进行管理。
    
     NTLTD7900为9安培20伏器件，专为单节或两节锂离子电池的保护电路而设计。它采用极小的3.3 mm x 3.3 mm Micro-8LL无引线封装，与采用TSSOP-8封装的同类竞争器件相比，占用电路板空间减少48%。
    
     NTLTD7900在4.5伏下的低导通电阻(RDS(ON) )为26 mohm，极大减小了电能消耗，因而延长电池寿命。其热阻值从采用TSSOP-8封装的88° C/W显著下降至82° C/W，这证明NTLTD7900虽然采用更小的Micro-8LL封装，却并未削弱其性能。该器件的栅极具有齐纳（zener）保护，提供的静电释放（ESD）保护超越业界要求。场效应管（FET）中集成了栅极二极管，无需在电路中添加背靠背连接的分立齐纳二极管。NTLTD7900可承受4000伏人体放电模式（HBM），可理想应用于手持式电子设备。
    
     安森美半导体将在2002和2003年推出一系列新型栅极保护器件，NTLTD7900是第一款。这些器件将不断满足便携产品行业对集成ESD保护的小型封装器件的需求。NTLTD7900采用安森美半导体的超小型Micro-8LL（无引线）封装，面积仅为3.3 x 3.3 mm。