（华强电子世界网讯）安森美半导体新推出专有封装技术PInPAK™作为NIS3001的平台。NIS3001是一款用于直流 - 直流转换器的电源管理器件，它将一个“套装”模拟驱动器和多个MOSFET集成在单个10.5 mm x 10.5 mm大小的无引线封装内。
    
     该器件在1MHz下电流高达20安培，显著提高了电源系统的功效，同时在计算机与电信平台的主板占用空间减小了50%。NIS3001现为主要客户提供样品，并计划于2003年初投入生产。
    
    器件特征
    
     NIS3001由QFN封装的CMOS模拟门驱动器NCP5351和两个MOSFET裸片组成。高边的NTC60N02R和低边的NTC95N02 MOSFETs结合了安森美半导体的专利HD3E平面技术，具有世界级转换性能。NIS3001内具有导通电阻极低（2.6 毫欧）用作同步MOSFET的器件，和速度极快以控制MOSFET的器件。
    
     NIS3001应用在符合VRM 9和VRM 10电源供应规范的直流 – 直流转换器和电信降压转换器上，它设计简洁，寄生电感极低，转换性能佳。此外，门驱动器和MOSFET之间配合完善，使延迟时间达到最小。
    
     NIS3001面积仅为10.5 mm x 10.5 mm。因而，与单个SO-8驱动器配合两个D2PAK或四个DPAK MOSFET的分立器件方法相比，它大幅缩小电路板空间占用达50%。采用分立器件方法需占用0.58平方英寸电路板空间，而NIS3001仅占用0.17平方英寸。（参见下图。）
    
     NIS3001如图(1)所示。图(2)为上文提到被NIS3001替代的器件。