(华强电子世界网讯)世界顶尖的非易失性铁电存储器开发及供应商----Ramtron 国际公司(纳斯达克代码: RMTR)今天发布其1兆位的铁电存储器产品---FM20L08。此型号的操作电压为3-volt, 32-pin TSOP（thin small outline plastic ）封装。FM20L08是Ramtron公司目前生产的容量最大的铁电存储器，可以对其进行无限次的读写操作。该型号是专门设计用来替换标准同步静态随机存储器的（Standard asynchronous SRAMs）。同时，这个型号还特别适用电压多样或者电压会突然丢失的存储数据系统, 如:机顶盒、汽车远程信息处理以及工业应用等系统。
    
     作为对Ramtron现有并口铁电存储器型号重要补充，FM20L08在地址转换检测（ATD）方面可以与SRAM完全兼容, 它允许用户在芯片使能有效的情况下改变地址。20L08的内存访问方式与SRAM类似，极大的简化了设计工程师使用非易失性RAM时所需要做的工作。
    
     “当设计工程师们使用我们的并口铁电存储器产品时，新的ATD 设计方案极大的方便了他们的设计工作，” 铁电存储器产品副总裁 Mike Alwais先生说。 “这个产品可以直接用于为SRAM的设计的方案中, 这样的话，我们就可以很方便的用FM20L08替代那种不受欢迎的且需要后备电池的SRAM的解决方案。FM20L08还拥有多样的目标市场应用领域，而且我们现在已经看到了很多重要的客户对FM20L08的样片非常的感兴趣，终端应用的领域为：汽车远程信息处理、机顶盒、工业控制以及仪表等。”
    
     Ramtron设计FM20L08的目标就是“易于使用”。除了能够完全兼容标准SRAM，FM20L08还包含一个内部的电压监控器用来阻止低电压进入，保护已存储的数据。这个监控器会连续不断的检查工作电源电压，当工作电压低于一个临界值时，它就会发出一个低电压信号表明现在存储器已处于一个写保护的状态。当 /LVL 信号很弱的时候，存储器就被保护起来，防止无意中的访问和数据存储损坏。FM20L08还有软件控制的写保护功能。整个内存被分成八个区域，每个区域都可能通过软件单独设置写保护，而不需要硬件或改变管脚排列。为了给现在的高性能微处理器提供一个方便的接口，FM20L08包含一个高速的页面模式，这种模式可以允许在比传统随机存取器更高的总线速度的情况下，进行四字节脉冲的读写操作。
    
    FRAM产品优点
    
     所有的数据一旦被写入铁电存储器（FRAM），就立即变成非易失性，并且不像老技术生产的非易失存储器一样出现延时现象。所有的铁电存储器（FRAM）都是非易失性的，在失去电源的情况下，数据仍然被保存在芯片中。与其他非易失性存储器技术相比，铁电存储器（FRAM）能提供非易失性的数据保存，免除了人们对存储器可靠性的担忧、对功能性的缺点和系统设计复杂性的担忧，而这些担忧都是需要后备电池的SRAM(BBSRAM)所存在的不足。此外，铁电还具有非常快的写入速度以及无限次的擦写寿命，而这些特点都优于其他类型的非易失性存储器（例如：EEPROM或者Flash等）。
    
     FRAM比BBSRAM更先进，单片集成电路的特质所带来的高可靠性，使得FRAM不需要在电路板上或者外部安装电池来备份数据。FM20L08是一种真正的表面组装解决方案，不需要为配备附加电池而重复工作步骤，对负电压和负脉冲信号有着非常高的抵御能力，而对于这些方面，SRAM是无能为力的。
    
    产品特性
    
     FM20L08的容量为28K x 8。其读写操作与标准SRAM相同。访问进入时间为60 ns。高速的页模式操作总线速度最高可达到33MHz，4字节脉冲。写操作无延时，也没有最大写操作缓冲大小限制。操作电压从3.3V开始，和标准SRAMs相比，需要消耗的操作电流更少，因而操作耗能更少。FM20L08目前有两种型号，分别可满足工业温度（-40° C to +85° C）和商业温度（0° C to +70° C）的需求。 商业温度型Cycle time为150 ns; 工业温度型号的cycle time为350 ns。
    
    行业媒体评论文章
    
     Ramtron国际公司终于发布了其专门为替代标准异步SRAM而设计的非易失性铁电存储器。 该公司最新的3-V, 1-Mbit FRAM（ 32-pin TSOP封装），能进行无限次的读写操作。
    
     FRAM以无限次写入次数和高持久力而闻名，而很多的应用需要较多的Cycle time，大大超过了FRAM可以提供的次数。根据Ramtron公司的介绍，FM20L08可以允许使用者每秒钟能访问进入每个地址一百万次，持续几百年的擦写寿命。
    
    
     FM20L08 是一种宽字节的FRAM存储器，容量为131,072 X 8，并行接口访问
    容量跃进从256-kbit的FRAM到最近推出的1-Mbit的FRAM，Ramtron才用了不到一年的时间。Ramtron最新推出产品----其最高容量的、同时在地址转换检测（ATD）方面可以与SRAM完全兼容的铁电存储器。FM20L08 是专门为替代SRAM来设计的，拥有和SRAM一样的JEDEC 128Kx8管脚，60-ns 访问时间。高速的页面模式操作，最高可以达到33-MHz的总线速度，4-byte脉冲。
    
     Ramtron此型号存储器提供了两个类型，一个是适应工业温度的型号（-40° C to +85° C），一个是适应商业温度的型号（0° C to +70° C）。Cycle time分别为150 ns和350 ns。
    
     FM20L08有标准的SRAM 管脚,操作与SRAM一样。它提供非易失性的存储，因此不需要后备电源，与SRAM相比，降低了使用成本。它的操作电压为3.3-V,比SRAM相比需要较少的操作电流。富士通微电子美国公司在去年推出了其1-Mbit FRAM, 但是Ramtron已经对1-Mbit FRAM做了关键性的改进，减少了读和写的循环时间。富士通推出的1-Mbit FRAM 是一个较大的48-pin TSOP 封装。
    
    更多特性
    
     如果你是一个机顶盒设计师，一个汽车远程信息处理或工业应用方面的设计师, 你就有可能想考虑用FM20L08来代替标准SRAM产品。FM20L08最新的版本配制了一个电压监控器，用来监视电源供给情况。当工作电压下降到低于临界值时，电压控制器就会发出一个信号表明存储器现在已经被执行了写保护操作。当操作电压偏低的时候，用锁住访问进入的方法，就很容易能够避免数据遭到损坏。
    
     FM20L08还有软件控制的写保护功能。整个内存被分成八个区域，每个区域都可能通过软件单独设置写保护，而这些设置都是非易失性的。一个地址和一个指令序列就可以驱动写保护模式。系统主机发出6个读指令和2个写指令可以改变写保护的状态。当然，我们必须知道详细的读地址顺序，这样的话才可以进入写保护的模式。
    
     如果您想了解关于读写循环AC参数、电压循环时间、数据保存以及容量等信息的话，FM20L08工业温度型号请您参考: http://www。ramtron。com/lib/literature/FM20L08t_r1.0.pdf/
    FM20L08商业温度型号请您参考: http://www。ramtron。com/lib/literature/FM20L08TC_rl.0.pdf/
    
    价格及供货情况
    
     FM20L08样片（32-pin TSOP）现在可供立即申请, 10，000片以上，单片价格为$13.65 。此型号为绿色无铅封装。
    
     该公司计划下半年开始批量生产此型号。到目前为止，Ramtron已经给客户发出了数百片FM20L08样片用来评估此型号。
    
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