矽成ASRAM的访问时间为8ns

来源：http://news.hqew.com/info-120453.html 发布时间：2003-03-07

摘要： （华强电子世界网讯）矽成(ISSI)公司已经推出业界首款工作电压为3.3V的8Mb ASRAM，其访问时间为8ns。这些ASRAM采用该公司的0....

    （华强电子世界网讯）矽成(ISSI)公司已经推出业界首款工作电压为3.3V的8Mb ASRAM，其访问时间为8ns。

     这些ASRAM采用该公司的0.15μm CMOS工艺，有16×(IS61LV51216)和8×(IS61LV10248)两种配置，典型工作电流为90mA，待机电流小于5mA。

     这些器件适用于网络/宽带、数码相机、手机和汽车市场。16×器件采用48球mBGA和44引脚TSOPII JEDEC封装，8×器件则采用48球和36球mBGA封装及44引脚TSOPII JEDEC封装。

（编辑 Tina）

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