（华强电子世界网讯）ST公司近日推出基于STripFET技术的低压N通道MOSFET，适用于计算机底板和电信领域内的高频转换应用。
    STripFET技术采用优化的版面设计和新颖的制造工艺，可改善选通电极、栅电阻和输入电容特性。提供超低品质因数，可减少传导和转换损失。
    
     这次推出的产品包括STS12NH3LL，STD55NH2LL，STD95NH02L，STL8NH3LL和STL50NH3LL。其中，STS12NH3LL的工作电压为30V（12A），STSJ50NH3LL的工作电压为30V（50A）。这两款产品的导通电阻都为0.008欧姆（在10V条件下），可在导通阻抗和选通电极间进行折衷（4.5V条件下）。均适用于电信应用中的高频DC-DC转换器，以及膝上电脑应用中的功耗管理电路。
    
     STS12NH3LL采用SO-8封装，STSJ50NH3LL采用PowerSO-8封装。
    
     STD55NH2LL的工作电压为24V（55A），标准导通电阻为0.01欧姆（在10V条件下）或0.012欧姆（在4.5V条件下），采用IPAK (TO-251)或表面装配DPAK (TO-252)封装。适用于高频DC-DC转换器。STD95NH02L的工作电压为24V（80A）。标准导通电阻为0.0039欧姆（在10V条件下）或0.0055欧姆（在5V条件下）。采用表面装配DPAK (TO-252)封装。STL8NH3LL和STL50NH3LL都采用PowerFLATTM封装，可提供改良型规格尺寸、低型面高度和低热阻特性。均适用于分立DC-DC转换器内的同步校正电路，以及补偿转换器内的控制FET。STL8NH3LL的工作电压为30V（8A），标准导通电阻为0.012欧姆（在10V条件下）。采用3.3 x 3.3mm PowerFLATTM封装。STL50NH3LL的工作电压为30V（27A），标准导通电阻为0.011欧姆（在10V条件下）。采用6 x 5mm PowerFLATTM封装。
    
     ST公司现已提供所有产品，每300K片的价格范围为0.285~0.485美元。