(华强电子世界网讯)英飞凌科技公司(Infineon Technologies AG)日前发布了其新一代用于高性能大功率RF晶体管的GOLDMOS LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)裸片(die)技术，有助于放大器制造商设计更具可靠和成本效率的线性放大器产品。
    
     该公司的GOLDMOS大功率RF晶体管具有线性好、超带宽性能，可减少记忆效应，并具有目前最好的热性能。基于该技术的首款产品是单端100W的PTFA211001E 2.1GHz器件。在双载波WCDMA 3GPP模式下，该器件平均输出功率为22W，增益为16.5dB，效率为30%，带宽达几百MHz，三阶互调失真(IM3)为-37dBc，热电阻为0.38℃/W。
    
     GOLDMOS晶体管的热性能大大超过上一代产品，同时与其它RF功率晶体管相比该产品具有最低的节点温度。该器件可集成到UMTS/WCDMA、GSM、CDMA、EDGE、TDSCDMA、PCS/DCS、MMDS、TV广播及DAB放大器等相关产品中。
    
     GOLDMOS晶体管样品将于2004年第三季度面市，并于第四季度量产。