英飞凌推出512Mb移动RAM器件

来源：http://news.hqew.com/info-120450.html 发布时间：2003-04-17

摘要： (华强电子世界网讯)英飞凌(Infineon)推出新的512Mb移动RAM器件。新器件的平面尺寸和静态功耗是传统DRAM的50%。移动RAM工作电...

    (华强电子世界网讯)英飞凌(Infineon)推出新的512Mb移动RAM器件。新器件的平面尺寸和静态功耗是传统DRAM的50%。

     移动RAM工作电压2.5V，适用于PDA、智能电话和数字相机。由于有多项电源管理功能，功耗也进一步降低。

     Infineon还推出256Mb短延时DRAM(RLDRAM)，该RLDRAM适用于数据率在10Gbps至40Gbps之间的网络设备，它的随机存取时间高达25ns，可替换SDRAM。

(编辑 Belle)

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