(华强电子世界网讯)Vishay Intertechnology拥有 80.4% 股份的子公司 Siliconix 宣布推出晶片尺寸级的新型 P 通道功率 MOSFET器件，该种底面积不足 3 平方毫米的器件均可提供业界最低的导通电阻。
    
      针对电池开关、功率放大器、负载开关和充电器应用，这种新型 MICRO FOOT® Si8413DB 器件在栅极驱动电压为 4.5V 时可提供最大仅 48 毫欧的导通电阻，比先前市场上最佳的同类晶片尺寸 MOSFET 低 31%。栅极驱动电压为 2.5V 时，所提供的最大导通电阻低于 63 毫欧。这种新型器件的击穿电压为 -20V。
    
      Si8413DB 的底面积为 1.54 毫米×1.54 毫米，高度为 0.62 毫米，其性能可与采用较大的 TSOP-6 封装的器件相媲美，而所占的空间却是上述器件的 1/4。当用于 PDA、蜂窝电话、传呼机和其他携带型电子设备时，新型 MICRO FOOT 器件能够使设计人员设计出更小、更薄的终端产品，并添加更多的功能和／或延长两次电池充电之间的运行时间。
    
      Vishay Siliconix MICRO FOOT® 器件采用了焊球工艺和由 Siliconix开发的专有技术，无需使用装入功率 MOSFET 芯心的外包装，从而极大缩小了在蜂窝电话和其他掌上型电子设备内转换功率和类比信号所需器件的尺寸。作为 MICRO FOOT 系列的最新产品，Si8413DB 的最大导通电阻分别比先前推出的 Si8411DB 和 Si8401DB 低 17% 和 31%。
    
      目前，Si8413DB 的样品及量产批量均可供应，大宗定单的供货周期为 12 周。