(华强电子世界网讯)东芝美国电子元件公司(TAEC)近日推出八种N沟道高级MOSFET。这些器件提高了中等功率直流转换器的性能，并以薄型封装为特点，其电压分别为40V、60V、100V、150V、200V和250V。
    
      此次推出的新产品中，40V和60V器件采用薄型封装，厚度仅为标准SOP-8的一半。它们采用东芝公司的超高速U-MOS III工艺技术，使额定电流提高了约200%，功耗是标准SOP-8器件的50%，两款40V器件的编号分别为TPCA8014-H和TPCA8015-H。其中，TPCA8014-H的电流为30A，最大开态电阻(RDS(on))为9mΩ(Vgs = 10)，典型门电荷(QSW)为7.4nC，开关速度(下降时间)为4ns；而TPCA8015-H的电流达35A，最大RDS(on)为6.8mΩ，典型QSW为12.3nC。TAEC的TPCA8016-H是60V器件，最大漏电流为25A。RDS(on)为21mΩ，QSW为6.6nC。
    
      100V器件使用π-MOS VII技术，编号为TPCA8006-H和TPCA8007-H。其中，TPCA8006-H的电流达18A，RDS(on)为67mΩ，QSW为6.9nC，开关速度为2ns。TPCA8007-H为大电流直流转换器，额定电流为20A，RDS(on)为47mΩ，QSW为8.5nC。
    
      150V、200V和250V器件采用π-MOS V MACH II技术，150V器件标号为TPCA8009-H，电流达7A，RDS(on)为350mΩ，QSW为3.7nC，开关速度达13ns。200V器件的标号为TPCA8010-H，其电流为5.5A，开态电阻为450mΩ，QSW为3.7nC，开关速度为13ns，250V器件的编号为TPCA8008-H，各项指标分别为4A、580mΩ、3.7nC和13ns。
    
      东芝公司还推出TSSOP高级小型封装技术，其大小为3.6×4.4 mm，高0.75mm，比SOP高级封装薄21%，与工业标准SOP-8封装相比，缩小了53%。这种新封装比SOP-8封装的UHS U-MOS III器件的功耗降低了20%。首个采用TSSOP高级封装的器件为TPCM8001-H，是30V、20A MOSFET，适用于空间有限的直流转换器，可用于移动计算机和便携式电子设备。
    
     所有器件均采用无铅终端。TPCA8014-H和TPCA8015-H售价分别为50美分和60美分。150V TPCA8009-H售价45美分，200V TPCA8010-H售价为45美分，250V TCPA8008-H为60美分。TPCM8001-H TSSOP高级功率MOSFET样品每片售价为45美分。以上价格仅供参考。所有产品不久将投入量产。