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IR推出DirectFET MOSFET芯片组

来源:http://news.hqew.com/info-119711.html 发布时间:2005-04-27

摘要: (华强电子世界网讯)国际整流器公司(International Rectifier)近日推出两款新型的30V DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于安装了最新款Intel和AMD处理器的笔记本电脑设计,满足其更小体积、更高效...

    (华强电子世界网讯)国际整流器公司(International Rectifier)近日推出两款新型的30V DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于安装了最新款Intel和AMD处理器的笔记本电脑设计,满足其更小体积、更高效率和良好散热的要求。
    
     新品的每一款芯片组都包含一个控制MOSFET和一个同步MOSFET,而每个器件都经过特别设计,在同步DC-DC降压转换器电路中发挥最佳性能。控制MOSFET具有更低的开关损耗,同步MOSFET的传导损耗更低(低导通电阻),逆向恢复电荷也很低。
    
     其中一款芯片组包含IRF6617控制场效应管和IRF6611同步场效应管,能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能,每个功率通道可达20A。另一款芯片组则包含IRF6637控制场效应管和IRF6678同步场效应管,适用于每个功率通道高于20A的应用,可有效提升热性能。
    
     IRF6617控制场效应管采用小罐(ST)DirectFET封装,IRF6637控制场效应管则采用中罐(MP)DirectFET封装。为了方便修改现有设计,两款同步场效应管都采用中罐(MX)DirectFET封装,可以轻松地将IRF6611替换为IRF6678,满足更大电流和散热性能的需求。
    
     新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流DC-DC转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑和服务器,以及先进的电信和数据通信系统。
    
     IR的DirectFET MOSFET封装已经获得了专利,其中汇集了一系列标准塑料分立封装不具备的设计优点。金属腔构造能发挥双面冷却功能,把用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理效率增加一倍。此外,采用DirectFET封装的器件均不含铅和溴化物。
    
    

(编辑 keil)

    
    
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