(华强电子世界网讯)安森美半导体推出SMART HotPlug™智能、高集成器件的新产品系列，简化用于经常开关启动的计算机和电信系统的电路板热拔插功率保护。这些强化可靠的新器件，能消除因母线干扰、过载或短路引起的高成本停机时间，适合于分布功率系统、高可用性服务器、磁盘阵列和热拔插应用。
    
    

N1S5101是安森美半导体计划今年计划推出集成热拔插保护电路产品系列的首个SMART HotPlug™器件，这个创新器件为提供在-48伏 (V)底板安全插入和移去电子设备而设计。
    
     虽然市场上有一些热拔插控制器，但N1S5101是唯一的40毫欧、110 V 低额定智能集成MOSFET。N1S5101结合了一个智能MOSFET和电流镜，特别是SenseFET™，传感电阻器只检测到一部分负载电流，从而不需要更大、更昂贵的外置电源传感电阻，同时降低了传感功率耗散。内置MOSFET温度感应电路保护使其不致过热。限流可调功能使设计者可将最高侵入电流从12安倍调到低过1安倍。欠压和过压闭锁使负荷不会 “看到”潜在不安全工作电压。此器件能在5安倍连续电流下工作，在2个铜焊垫中只有0.3安倍，且没有额外的散热或气流。如有额外的铜、散热或气流，它可在更高的平均电流下工作。
    
     迄今，最佳的-24 V 或 -48 V分布功率系统热拔插方案需用的器件多且烦琐，包括一个功率MOSFET，一个功率传感电阻器和一个模拟控制器。要取得有效的热拔插方案，控制器周围需要多至14个额外的有源和无源元件。与此相比，N1S5101只需3个外置元件就能达到完整的热拔插保护，即3个低功率电阻器来设定限流、过压跳闸点和欠压跳闸点（如果不需过压跳闸点，则只要2个电阻器和N1S5101 SMART HotPlug™器件）。
    
     关于热传感，N1S5101集成温度传感二极管，以提供高精度的热保护。竞争对手的器件估计MOSFET接点温度作为热保护，此种集成电路设计结构可能会造成严重的MOSFET失效或过早出现过电流电路跳闸情况。
    
     安森美半导体副总裁兼集成电源器件部总经理Ramesh Ramchandani 说：“N1S5101是业界首个这样小巧可靠又能使设计如此简易的热拔插器件。与外面最具竞争力的方案相比，安森美半导体的SMART HotPlug™器件节省设计热拔插电路一半时间，减少75%所需的外部元件，便达到完整有效的热拔插方案。”
    
     N1S5101有不锁存或自动重试热选择，现有D2Pak和7引脚SPak封装。如需样品和演示板，请浏览 http://www。onsemi。com/tech