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ST推出256M NAND闪存

来源:http://news.hqew.com/info-119843.html 发布时间:2004-11-30

摘要: (华强电子世界网讯)ST近日宣布已大批量生产256M" Small Page" NAND闪存VFBGA55版芯片,采用8x10mmBGA封装形式,适用于便携式设备,如照相手机、智能手机、低成本数码相机、PDA和USB相机存储棒,以及其他空间受限产品。...

    (华强电子世界网讯)ST近日宣布已大批量生产256M" Small Page" NAND闪存VFBGA55版芯片,采用8x10mmBGA封装形式,适用于便携式设备,如照相手机、智能手机、低成本数码相机、PDA和USB相机存储棒,以及其他空间受限产品。
    
     这种厚度为1mm的封装形式保持了与其他NAND产品间的疏通兼容性,却可节省约20%板空间。NAND256属于ST公司的NAND系列闪存产品,包括128M、256M、512M和1G设备,工作电压为1.8V或3.0V。
    
     它提供超快速数据吞吐率和擦除功能,以及手机、PDA和其他便携式设备所需的低功耗编程和低电压操作特性。它采用先进的120nm技术,具有小存储单元尺寸,可保证价格敏感产品获得最低成本。
    
     存储器集成在2048个16K模块内,每个模块可分为若干个512字节的页,每页又会闲置出16字节,用于页进行读取和编程操作。这些闲置字节通常用于纠错编码(Error Correction Code)、软件标记或损坏块鉴定。缓存编程模块可使存储在一页中的数据被直接编程进另一页,通常用于从故障块内移出数据。块擦除命令的擦除时间为2ms,每块可进行100,000次编程和擦除操作,数据保持期为10年。
    
     ST公司的软件工具链支持采用NAND闪存系列产品的设备的快速发展,有助于延长其使用寿命。工具包括纠错编码(ECC)软件、损坏块管理(BBM)、用于延长设备寿命的磨耗校正(Wear Leveling)算法、文件系统OS本地参考软件,以及硬件仿真模型。
    
     设备选项包括:"上电后自动读取页0",适用于从NAND存储器启动的应用;"无需关心芯片类型",可简化微控制器接口和提高NAND闪存与其他类型存储器(如NOR闪存和SRAM)共同使用的效率;"唯一设备ID",可进行编程;"用户编程序列号",支持目标应用中的安全性。
    
     ST公司现已提供NAND256W3A (3V)和NAND256R3A (1.8V)产品,采用VFBGA55 8x10mm球阵列封装(ZA),每100k定价为6.50美元。
    
    

(编辑 keil)

    
    
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