（华强电子世界网讯）东芝推出适用于数字相机、PDA和手机等的2Gb、单片NAND闪存样品TC58DVG14B1FT00。
    
     TC58DVG14B1FT00是东芝公司与SanDisk公司联合开发的，它采用0.13um工艺制造，其工作电压在2.7V至3.6V之间，存取时间50us(第一次存取)和50ns(串行存取)。
    
     东芝公司还宣布在四月份推出4Gb的NAND闪存IC TH58DVG24B1FT00，它是两片TC58DVG14B1FT00堆叠在一起的封装。
    
     TC58DVG14B1FT00和TC58DVG14B1FT00都采用48引脚的TSOP封装，尺寸为12×20×1.2mm，TC58DVG14B1FT00定价59美元。