(华强电子世界网讯)英特尔公司近日宣布推出新的面向手机的闪存产品。这五种超薄闪存芯片具有存储空间更大、耗电更低、体积更小等优点。英特尔超薄堆叠式芯片尺寸封装(Ultra Thin Stacked Chip-Scale Packaging)技术采用了电压为1.8伏的英特尔StrataFlash无线闪存，可以帮助手机厂商在相对轻薄小巧的手机上添加数码相机、游戏和电子邮件等丰富功能。
    
     英特尔堆叠式-CSP产品使用了新的英特尔超薄堆叠式芯片尺寸封装技术。这是一种先进的晶元薄化和封装技术，可以让封装厚度更小，堆叠更灵活。通过把高密度的英特尔Strataflash无线闪存和新的超薄堆叠式芯片尺寸封装技术结合在一起，英特尔可以提供尺寸极小、极具吸引力的堆叠产品解决方案。
    
     这些先进的堆叠式-CSP产品可以让五层堆叠的晶片只有1.0毫米厚。这些产品可以具有×16和×32总线宽度，以及SRAM、PSRAM和LP-SDRAM功能。今年这些产品存储容量可达512 Mbits，明年将可以达到1Gbits，足够执行代码和大量数据应用，并且带有英特尔最新的多极单元(MLC)闪存。
    
     带有1.8伏英特尔StrataFlash无线闪存的英特尔超薄堆叠式-CSP产品已可提供样品，预计在2003年第三季度开始量产。具体价格将根据具体的闪存和随机存储器组合而定，以128Mb闪存配置产品为例，最初以10,000片为单位的批量采购建议价为17.75美元(价格仅供参考)。