(华强电子世界网讯)飞兆半导体公司推出全新系列18种N沟道MOSFET器件，采用业界首个结合大型TO-263封装(D2 PAK)的热性能和极低RDS(on)特性的标准SO-8封装。
    
     18种新器件均采用无底(Bottomless)封装技术，包括：两种150V和两种200V器件，适用于48V电信DC/DC设备；六种40V器件，设计用于低输入电压的单晶体管正向DC/DC转换器，两个晶体管正向转换器以及半桥转换器的初始边；以及四种20V和四种30V器件，适合计算和同步整流器隔离DC/DC转换器的低边开关应用。
    
     现提供四种20V无底封装产品，具有低至3.5mΩ的导通电阻，包括两种3源极引脚分布产品，型号为FDS6064N3和FDS6162N3；两种7源极引脚分布产品，型号为FDS6064N7和FDS6162N7。还有四种导通电阻低至5.5mΩ的30V MOSFET器件，其中，3源极引脚分布类型器件的型号为FDS7066N3和FDS7064N，7源极类型器件的型号为FDS7066N7和FDS7064N7。20V和30V无底SO-8封装产品均针对笔记本计算机、台式计算机，以及同步整流器隔离DC/DC转换器设备的低边开关应用。
    两种150V产品为FDS2070N3和FDS2070N7，两种200V产品为FDS2170N3和FDS2170N7，它们适用于DC/DC转换器的初始边，可同时达到高效率，极低的RDS(on)值和低门电荷的性能，这些PowerTrench MOSFET是要求严格的48V电信DC/DC设备的理想选择，150V-200V产品是专门设计，利用同步或传统开关PWM控制器以改进DC/DC转换器的总体效率。