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日立新IC集成MOSFET和肖特基势垒二极管

来源:http://news.hqew.com/info-118489.html 发布时间:2002-12-30

摘要: (华强电子世界网讯)日立公司的HAT2180RPIC复合功率MOSFET将两个MOSFET和一个肖特基势垒二极管集成在8.65×6.1×1.75mm的SOP-14封装内,适用于笔记本电脑、小型马达控制的非隔离dc/dc转换器。...

    (华强电子世界网讯) 日立公司的HAT2180RPIC复合功率MOSFET将两个MOSFET和一个肖特基势垒二极管集成在8.65×6.1×1.75mm的SOP-14封装内,适用于笔记本电脑、小型马达控制的非隔离dc/dc转换器。
    
      HAT2180RPIC采用该公司第八代工艺生产,其导通电阻和开关损耗较低。这种用于高档开关的MOSFET其导通电阻比前代产品低43%,但用于低档开关的MOSFET的效率高3%。由于集成了肖特基势垒二极管,所以噪声较低。
    
     高、低档MOSFET的漏源电压30V,功耗分别为2W和3W。高档开关MOSFET最大过流10A,集成了肖特基势垒二极管的低档开关MOSFET过流16A。
    
     HAT21180RP已开始供货,10000片采购时价格约82美分。
    

(编辑 Maggie)

    
    
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