（华强电子世界网讯）德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）日前使用SiGe:C（silicon germanium carbon）双极工艺技术，成功开发出110GHz以上的动态分频IC等。据该公司介绍：“与竞争厂商的IC相比，工作频率高出10％～30％”。
    
      该公司使用SiGe:C双极工艺技术，设计出用于高速通信的主要功能构件模块。该技术的截止频率超过200GHz，环形振荡器的门延迟时间为3.7p秒。“对制作的电路性能进行测量后，显示了适合模拟及数字两种用途的、平衡性良好的晶体管特性，而且噪音极低”（该公司）。
    
      英飞凌使用上述工艺技术制作的IC如下。
    
     ·最大输入频率110GHz以上的动态分频IC。分频比为2、工作电压为5V、耗电量为62mA
    
     ·最大输入频率为86GHz的静态分频IC。分频比为32、工作电压为5V、耗电量为180mA
    
     ·能够在95GHz～98GHz间运行的压控振荡器（VCO）。载波的offset频率为1MHz时的位相噪音为-97dBc/Hz。输出为-6dBm、工作电压为5V、电流为12mA
    
      关于上述产品，该公司解释说：“这表明SiGe双极技术适用于各种高速模拟及数字领域，比如Gbps级别的数据通信、宽带无线、微波产品等”。
    
      “在不久的将来，将会出现很多基于这一研究成果的元件及产品，比如高速晶体管及二极管等离散型组件、低耗电量的支持40Gps的有线通信系统、高速微波无线连接、最高60GHz的超带宽通信系统、工作频率77GHz的车载雷达系统等”（该公司）。