（华强电子世界网讯）功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新IRF7821及IRF7832同步降压转换芯片组，两款器件均为延长笔记本电脑的电池寿命而设计。这些新型HEXFET MOSFET还适用于电脑服务器功率系统及图形卡的降压转换器，以及电信与数据通信系统的负载点转换器。
    
     要实现最高MOSFET效率，必须降低器件通态电阻 (RDS(on))，使传导损耗降至最低，同时降低栅电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd) 使开关损耗降至最低。两款新器件以IR的条形沟槽HEXFET MOSFET工艺设计而成，大大降低了通态电阻、栅电荷和栅漏电荷，效率比采用其它同类器件的系统超出1%多。此外，新器件的反向恢复电荷 (Qrr) 更低，能将反向恢复损耗减至最低。
    
     IRF7821的栅电荷及栅漏电荷分别为10nC和2.5nC，最适合作控制MOSFET，栅电荷亦比其它同类器件低出40%。
    
     IRF7832在10VGS下的最大通态电阻为4.0mOhm，最适用于同步MOSFET应用，器件通态电阻值亦比其它同类器件改善了25%。该器件还可用于隔离式转换器中的副边同步整流。
    
     IR中国及我国香港特区销售总监严国富先生表示：“IRF7821和IRF7832芯片组能在整个负载范围内提供更佳效率。它们较低的栅电荷能在轻负载环境下实现更高效率，对延长便携式应用中的电池寿命极为重要。由于效率更高，器件的热性能亦得以改善，并有助减少元件数目，使这些器件成为最新英特尔迅驰 (Centrino) 处理器中Vcore电源的最佳MOSFET芯片组。”