安森美半导体的功率MOSFET有很高的外形性能

来源：http://news.hqew.com/info-119675.html 发布时间：2003-04-14

摘要： （华强电子世界网讯）安森美半导体(ON Semi)的低电压功率MOSFET新添24V/25V N沟道功率MOSFET，这是专门为服务器和台式PC的同步跳冲转换器电路设计的。&nb...

    （华强电子世界网讯）安森美半导体(ON Semi)的低电压功率MOSFET新添24V/25V N沟道功率MOSFET，这是专门为服务器和台式PC的同步跳冲转换器电路设计的。

     新的MOSFET采用专利的平面处理工艺，其外形性能(导通电阻乘门电荷)比前一代产品提高40%。

     除了提高开关性能外，平面技术还使导通电阻更低，从而降低导通损耗，其优化的体二极管可减小功率损耗。新的24V/25V N沟道功率MOSFET其总的门电荷为8.4nC至30nC，导通电阻3.7mΩ至117 mΩ。门电压20V，有DPAK、D2PAK和TO-220封装。

(编辑 Kitty)

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：微芯首推超薄DFN封装512K位 I2C兼容串行EEPROM

下一篇：ADI公司与IBM公司合作开发新一代高性能DSP系列

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

华强商城公众号

华强商城M站

芯八哥公众号

华强微电子公众号

华强电子网公众号

安森美半导体的功率MOSFET有很高的外形性能