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IR推出用于DC-DC降压转换器的新型DirectFET MOSFET芯片组

来源:http://news.hqew.com/info-117504.html 发布时间:2005-07-15

摘要: (华强电子世界网讯)世界功率管理技术领袖国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出新型的DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于下一代采用Intel和AMD处理器的高端台式电脑和服务器,...

    (华强电子世界网讯)世界功率管理技术领袖国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出新型的DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于下一代采用Intel和AMD处理器的高端台式电脑和服务器,以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大电流的DC-DC转换器应用。
    
     IR相关负责人介绍时指出该芯片可以较好提升效能,电流为130A的五相转换器如果采用最新的IRF6619和IRF6633芯片组,可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。
    
     IR中国及香港销售总监严国富称:“IRF6619和IRF6633芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代四个标准的D-Pak MOSFET,可以减少一半的元件数量,并为每个相位减少一半以上的占板空间,有效压缩工作站和服务器的体积。”
    


     IRF6619是的同步MOSFET,器件的典型导通电阻较低,在10VGS下为1.65mΩ,在4.5VGS下则为2.2mΩ,而逆向恢复电荷可以低至22nC。该器件采用MX中罐DirectFET封装,占板面积与SO-8封装相同,高度0.7mm。
    
     IRF6633的栅电荷极低,米勒电荷只有4nC,适作为控制用场效应管。与市场上其他20VN器件相比,其导通电阻和栅电荷减少了43%以上。该器件的混合导通电阻与栅电荷性能效益指数为38 mΩ-nC。它采用MP中罐DirectFET封装,占板面积与SO-8封装相同,高度同样只有0.7mm。
    
附:基本芯片参数信息

    

     IR的DirectFET MOSFET封装已获得专利,它汇集了标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。金属罐构造能发挥双面冷却功能,使得用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力增加一倍。
    
     新的IRF6619和IRF6633 DirectFET MOSFET同步降压芯片组现已供货。以1万片订货量计算,IRF6619和IRF6633的单价分别为1.05 美元和0.82美元,价格或有变动。
    
    IR简介
    
     国际整流器公司(简称IR,纽约证交所代号IRF)是全球电源管理技术领袖。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和组件广泛用于驱动高性能运算设备、降低电机的能耗(全球最大一类耗能设备),是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。
    
     IR成立于1947年,总部设在美国洛杉矶,已经在亚洲近二十个国家设有办事处。 IR全球网站www.irf。com ,中国网站 www.irf。com。cn 。
    
(编辑 Andrew)

    
    
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