（华强电子世界网讯）日本尔必达内存（ELPIDA MEMORY）开发出了用来量产大容量高速DRAM内存的90nm工艺技术。该技术主要适用于内存容量为512Mbit或1Gbit、最大数据传输速度为667Mbit/秒以上的DRAM内存。将用来生产512Mbit DDR2 SRAM等内存。该公司的老产品一直使用100nm工艺技术。
    
      此次为了尽快投入量产，在不降低生产成品率的情况下将工艺提高到了90nm水平。为了沿用目前可量产的生产设备，使用了为100nm工艺准备的生产流程。比如，在曝光技术中就使用了在DRAM生产中目前普遍采用的波长248mm的KrF受激准分子激光器（Excimer Laser）技术。
    
      为了防止因向90nm工艺过渡而产生的生产成品率下降，运用了对摸膜图案进行校正后进行蚀刻的光功率校正（OPC）技术以及低电阻接点技术。
    
      作为90nm工艺产品，内存单元及其周边的布线宽度与布线间隔约为100nm工艺产品的90%左右。因此，存在着布线短线和断路等缺陷增加的危险，不过此次通过采用OPC技术解决了这些问题。每个晶圆的短路与断路等缺陷数量已经达到与100nm工艺产品相同的水平。
    
      90nm工艺产品的接触孔面积与100nm工艺产品相比缩小到了约80%。因此接点部位的接点电阻增加了，从而有可能成为高速动作的障碍。此次通过在接点部位运用自主开发的硅化物（金属与硅的合金）技术，降低了接点电阻。
    
      通过将工艺技术由100nm提高到90nm，使得芯片面积缩小了，结果每个晶圆的生产效率可比原来提高20%以上。