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英飞凌推出2GB DDR2存储器模块平面式设计解决方案

来源:http://news.hqew.com/info-117381.html 发布时间:2004-04-27

摘要: (华强电子世界网讯)英飞凌科技(Infineon Technologies)日前宣布推出2GB DDR2平面寄存器式(Planar Registered)双列直插式存储器模块(DIMM)的第一批样品。&...

    (华强电子世界网讯)英飞凌科技(Infineon Technologies)日前宣布推出2GB DDR2平面寄存器式(Planar Registered)双列直插式存储器模块(DIMM)的第一批样品。
    
    
      这些模块使用的是采用非常紧凑的密间距球栅阵列(FBGA)封装的单裸片512Mb DDR2存储器芯片设计而成,而且采用的是平面式设计。而目前市面上密度大于1GB的存储器模块采用的都是层叠式裸片设计。英飞凌新推出的2GB模块平面式设计解决方案基于成熟的单裸片器件。系统制造商将会受益于更平整的模块外形,其厚度仅4.1mm,满足DDR2服务器应用的要求。根据相应系统配置情况,产生的热量最多可减少 10%。
    
    


    
     预计2GB DDR平面寄存器式DIMM将成为高端服务器供应商首选的存储器模块产品。英飞凌新推出的产品主要针对服务器和存储基础设施市场中的高性能数据处理和存储应用。根据市场研究企业iSuppli公司的研究,中端和高端服务器的需求将会从2003年的约80万台增长为2006年时的约100万台,平均年度增长率为9%。
    
      新推出的2GB寄存器式DIMM在JEDEC(电子元件工业联合会)兼容的60脚FBGA封装中使用了36个单裸片512Mb DDR2器件,工作速度为400Mbps和533Mbps。通过推出2GB平面寄存器式DIMM模块,英飞凌公司进一步丰富了其DDR2寄存器式标准存储器模块产品线,包括存储器密度为256MB、512MB、1GB、2GB和4GB的模块。除了4GB模块以外,所有DIMM模块都基于平面式设计。
    
      2GB DDR2平面寄存器式DIMM样品结构为256Mb×72(2Rank×4),速度有PC2-3200和PC2-4300两种,单价为700至910美元(仅供参考)。批量生产计划于2004年下半年开始。
    
    
(编辑 keil)

    
    
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