（华强电子世界网讯）低栅极电荷芯片组提高多种同步降压转换器应用的电流密度和开关性能
    
     飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出同步降压转换器芯片组，其设计特别利用最新的 IMVP (英特尔移动电压定位) 技术规范，在笔记本电脑中优化效率和空间。通过飞兆半导体的PowerTrench® MOSFET技术，高端“控制”MOSFET (FDS6298) 和低端“同步”MOSFET (FDS6299S) 会构成一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大的电流密度和更高的效率。此外，FDS6299S器件的单片电路SyncFET™ 技术毋须使用外部肖特基二极管，因此能节省电路板空间和装配成本。
    
     飞兆半导体计算解决方案市务经理David Grey称：“飞兆半导体PowerTrench技术支持的功能集能够提高效率。在同步降压转换器应用中，性能通常由效率来衡量。更高的效率往往意味着芯片的温度较低、可靠性更高，以及是改善电磁兼容性或EMI的指标。我们的技术还减小了由直通引起的大电流尖峰的出现，故此减少了信号振荡和电磁噪声辐射。此外，与需要外部肖特基二极管的解决方案相比，飞兆半导体的FDS6298/FDS6299S芯片组利用配对的集成式SyncFET™器件来减少组件数目。”
    

    
     这种集成芯片组的米勒电荷 (Miller) Qgd极低，并具有快速的开关速度和小于1的Qgd / Qgs比，以限制交叉导通 (Cross-conduction) 损耗的可能性。除了Vcore设计之外，快速开关FDS6298和低导通阻抗RDS(on) FDS6299S提供了配对使用的好处，非常适合于高端通信设备等应用中的大电流负载点 (POL) 转换器。
    
     FDS6298 (高端) MOSFET的主要性能特性包括：
    
     低总Qg (9nC @ VGS=4.5V) 和Qgd (3nC @ VGS=4.5V)，具有快速开关速度，能提高效率；
    
     优化的芯片和引线框架设计，能降低封装阻抗和电感、减小传导损耗及源极端电感开关损耗；
    
     规范的Rg和100% 的Rg测试实现优良的漏源开关特性。
    
     FDS6299S (低端) MOSFET的主要性能特性包括：
    
     低导通阻抗RDS(on) (3.9mOhm (max) @ VGS = 10V) 以减小DC损耗；
    
     低体二极管损耗 (低 QRR 和低前向电压降) 以提高效率；
    
     软恢复特性减少噪声，低Crss减小交叉传导的可能性；及
    
     低总Qg (31nC @ VGS=5V) 降低栅级驱动要求。
    
     这些产品均采用无铅SO-8封装，能达到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。
    
     FDS6298/FDS6299S同步降压转换器芯片组是飞兆半导体采用创新技术解决计算应用特定问题的又一示例。飞兆半导体提供多种相辅相成的产品以满足今天的设计挑战，包括功率放大器、多相DC/DC控制器，以及LDO等多负载点 (POL) 产品。