（华强电子世界网讯）硅锗技术使新设备易用、高效且极具灵活性
    
     致力于开发和生产先进半导体解决方案的全球领导商 Atmel（纳斯达克交易代码：ATML）今日宣布，推出基于硅锗 (Silicon Germanium, SiGe) 的新型前端集成电路 (front-end IC) -- ATR0981。SiGe 技术的应用、简易而灵活的应用电路以及该设备宽广的工作频率范围（300 MHz 至 500 MHz）实现了从手持家用无线电（专用移动无线电 (PMR)）设备到读表器 (meter reader) 等众多应用。由于这种前端设备高度整合，因此使用这种前端设备能够轻松设计外部元件较少的应用，包括接收路径的高效功率放大器 (PA) 和低噪音放大器 (LNA)。
    
     大多数竞争对手的家用无线电前端解决方案是分散，而该设备是利用 Atmel 创新的硅锗技术制成的集成电路，比分散或非硅锗的解决方案更具优势。由于受温度的影响较小，硅锗确保了高度可靠性和稳定性，此外，利用 ATR0981 集成电路节约的不仅仅是组件成本，较少的组件数量还意味着减少了为设计所花费的精力、失败风险和装配成本。
    
     另外，硅锗提高了效率 -- 功率附加效率 (PAE) 高达55%，这有助于确保功率放大器的低电流消耗。总电流消耗甚至可以通过关闭功率放大器得到进一步的降低，从而延长电池寿命。输出功率可以达到 29 dBm，功率放大器的功率增益为 34 dB，并可以在 3 dB 范围内进行调整。ATR0981 的 LNA 提供极好的噪音性能，噪音系数为 1.5 dB，功率增益为 19 dB。
    
     ATR0981 样品目前以无铅、环保 PSSO20 封装推出。Atmel 是极少数提供这类符合有害物质使用限制 (RoHS) 标准的产品设备的供应商之一。
    
     脚注
    
     PA=功率放大器
     PAE=功率附加效率
     PMR=专用移动无线电
     LNA=低噪音放大器
     RoHS=有害物质使用限制
     SiGe=硅锗