（华强电子世界网讯）美国高通公司日前偕同全球规模最大的专业集成电路制造服务公司，台湾集成电路制造股份有限公司（台积电），宣布将于 2004 年推出采用台积电 90 纳米低功耗工艺的首套 90 纳米低功耗手机芯片组解决方案。台积电最新低功耗低介电90纳米系统单芯片Nexsys技术将能大幅降低移动终端的功耗，提升处理器性能，并能将更多功能整合到单一芯片上。
    
     美国高通首先将台积电Nexsys 90纳米的无线芯片制造工艺，应用在 MSM6xxx™ 产品系列上。此外，MSM7xxx™ 产品系列也将采用台积电的 90 纳米工艺，并在未来提升为更先进的工艺。美国高通 的 MSM手机芯片组系列，将为手机制造商提供解决方案的多样化组合，以制造下一代的 3G 手机。
    
     这些芯片组支持全球主要的第三代 (3G) 与第二代 (2G) 无线标准，并实现高分辨率的多媒体应用，例如视频、声频、图形处理与增强的 3D动画等。MSM 芯片组是高度整合的单芯片解决方案，提供更优异的处理能力，加上较低的功耗，给最终用户带来更好的使用体验。
    
     台积电领先业界率先推出拥有完整设计服务的90纳米低介电Nexsys系统单芯片工艺。 这些服务包括业界最完备且经过产品验证的硅制造工艺专利技术及组件库，以及首次针对纳米级集成电路工艺所推出的设计流程验证方案。
    
     台积电提供给客户多样的Nexsys 90纳米逻辑电路工艺，包括通用型(G)、低功耗(LP)以及高速(HS)工艺。每一工艺都提供给客户多种电压规格的选择，以满足不同产品设计中电压、速度及漏电流最佳化的模块。
    
     目前台积电的第十二芯片制造厂已使用90纳米工艺为客户进行生产。台积电另一座十二英寸芯片制造厂-第十四芯片制造厂未来在开始进入生产时，也将会用90纳米工艺为客户进行生产。