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IDT推出业界首个1.8伏双端口系列器件

来源:http://news.hqew.com/info-115232.html 发布时间:2004-03-05

摘要: (华强电子世界网讯)全球领先的通信集成电路供应商——IDT近日发布业界首款针对高端、低功耗无线应用领域的1.8伏双端口器件,该器件特别为高端、功耗敏感的无线应用而设计, 此类应用正开始在中国设计和生产。新器件广泛应用于采用多种低压处理器的无线平台,以...

    (华强电子世界网讯)全球领先的通信集成电路供应商——IDT近日发布业界首款针对高端、低功耗无线应用领域的1.8伏双端口器件,该器件特别为高端、功耗敏感的无线应用而设计, 此类应用正开始在中国设计和生产。新器件广泛应用于采用多种低压处理器的无线平台,以满足高端无线手持产品对处理器不断增长的需求。
    
     新器件将工作电流和待机电流减少95%之多,较市场现有的替代双端口产品大幅提高了功耗性能。新型双端口系列进一步巩固了IDT在2.5G和3G手机通信和PDA等新兴高端领域的领导地位,可满足更多集成语音、多媒体和数据处理的不断提升的需求。这些应用对于中国的设计人员和制造厂商是至关重要的。
    
     IDT 1.8伏双端口产品大幅降低了无线手机应用的功耗。一个基带处理器和一个应用处理器在能独立运行处理程序的同时需要高速相互交换数据,2.5G和未来3G应用就是这种环境的极好例证。
    
     IDT双端口器件均采用小型封装,以满足无线手机和PDA对于减少板面积的要求。新器件还可提供传统双端口产品不具备的先进功能,包括集成创新的输入读取和输出驱动寄存器,可帮助用户监控和驱动外部二进制输入和输出器件,如DIP开关和LED,仅采用双端口标准存储接口即可实现。这一功能将拓展处理器在实际应用中的功能,用户可以把通用输入/输出(GPIO)引脚用于其他用途。1.8伏双端口器件可提供高达55纳秒的高速接入,并提供两个具有单独控制、地址和I/O引脚的独立端口,可以独立和异步读、写任何存储器地址。IDT双端口器件采用高性能IDT CMOS技术,典型操作功耗为27毫瓦。
    
     IDT无线半导体研究部经理Allen Leibovitch表示:“目前,手机厂商致力于在高端多媒体手机中增加更多的应用处理器,以实现更高水平的操作系统和先进的语音、图像和视频等功能。我们目前的预测显示配备分立应用处理器的手机数量将不断上升。目前,在分立应用处理器和基带之间没有标准化的高速链接。因此,手机厂商将更加青睐那些能实现高速链接的低功耗器件,以便能够真正实现运营商提供的无线数据功能。”
    
    

(编辑 justin)
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