韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）发表了内置ECC（纠错码）、工作频率为185MHz的Mobile DDR同步DRAM。容量为512Mbit。据介绍，配备的ECC将消耗电流降低到了原产品的近一半。

  工作频率为185MHz、使用32位输出输入接口时的数据吞吐量为1.5GByte/秒。通过配备的ECC，与平时相比，可加长刷新动作的间隔，从而降低耗电。另外还配备了原有的省电力功能，可用于大范围的移动应用。这些功能分别是TCSR（温度补偿自刷新功能：根据温度调节刷新动作的频率）、PASR（局布阵列自刷新：局布选择内存阵列进行刷新动作）及DPD（深度功率下降：长时间无访问时停止扇区及扇区启用以外的输入缓冲）。

  采用了80nm工艺。以符合JEDEC规格的输出端子，以及封装形式提供。另外还计划与NAND闪存配套，以多芯片封装（MCP）或堆叠封装（PoP）的形式供应。预定在第3季度早些时候开始样品供货，在2007年下半年开始量产。（

来源：日经BP社