东芝推出了超低导通电阻功率MOSFET

来源：http://news.hqew.com/info-268429.html 发布时间：2013-01-21

摘要： 东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一种低导通电阻功率MOSFET，该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品“TK80A04K3L”还实现了低漏电电流和17...

东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一种低导通电阻功率MOSFET，该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品“TK80A04K3L”还实现了低漏电电流和175℃的保证工作温度。该产品不但非常适用于汽车应用，还适用于电机驱动器和开关稳压器。

主要特性

1. 低导通电阻 (VGS=10V) ，RDS(ON)=1.9mΩ(标准值)

2. 低漏电电流IDSS=10μA(最大值) (VDS=额定电压)

3. 通道温度=175℃保证工作温度

4. 引线插入类型TO-220SIS封装（责编：damon）

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