IR 宣布，成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比，该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10，显著提高计算和通信、汽车和电器等终端设备的性能，并降低能耗。
    开拓性GaN功率器件技术平台是IR基于该公司的GaN器件专利技术，历经5年研发而成的成果。
    
     IR的GaN功率器件技术平台有助于实现电源转换解决方案的革命性进步。通过有效利用公司60年来在电源转换专业知识方面的经验，可使该技术平台广泛应用于AC-DC电源转换器、DC - DC电源转换器、电机驱动器、照明系统及高密度音频和汽车系统领域。其系统解决方案产品组合和相关知识产权 (IP) 远远超越了其他的领先分立功率器件。
    
     高吞吐量、150毫米GaN器件及其制造工艺完全符合IR公司倡导的低成本高效益的芯片制造要求，为客户提供世界一流的、可商业化的GaN功率器件制造平台。
    
     几个新GaN器件产品平台的原型将在2008年11月11日至14日于慕尼黑举办的Electronica电子贸易展上向主要原始设备制造商展示。
    
     详情见：www.irf。com。cn。