摘要: Western Digital 公司宣布成功开发下一代3D NAND技术BiCS3,具有64层垂直储存功能。新技术产品将在位于日本四日市的合资晶圆厂进行试产,预计今年稍晚即开始正式生产。Western Digital预估BiCS3在2017上半年开始商业量产。Western Digital记忆体技...
Western Digital 公司宣布成功开发下一代3D NAND技术BiCS3,具有64层垂直储存功能。新技术产品将在位于日本四日市的合资晶圆厂进行试产,预计今年稍晚即开始正式生产。Western Digital预估BiCS3在2017上半年开始商业量产。
Western Digital记忆体技术部门执行副总裁Siva Sivaram博士表示:「运用我们领先业界64层架构为基础,推出下一代3D NAND技术,将增强我们在NAND快闪技术的领导地位。BiCS3採用了3位元 (3-bits-per-cell) 技术,并在高深宽比半导体处理上实现进展,能够以更优成本提供更高容量、出色效能,并具有更高的可靠度。加上BiCS2,我们的3D NAND产品组合将大幅扩充,提升了我们满足零售、行动与资料中心整体客户应用需求的能力。」
BiCS3是Western Digital和其技术及製造伙伴Toshiba携手开发的结晶,初期将提供256 gigabit容量规格,日后还会扩充至一颗晶片0.5 terabit的容量。Western Digital预计BiCS3产品在2016年第4季向零售市场大量出货,本季开始向OEM厂商送样,上一代3D NAND技术的BiCS2仍会继续向零售与OEM客户供货。
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