Diodes公司提供ZXGD3111N7 有源OR’ing MOSFET控制器，瞄准使用冗余电源系统以实现高可靠性的电信、数据中心和服务器应用，提升最大200V的漏极电压性能。相比先前发布的40V ZXGD3108N8，该最新器件增加了VDRAIN ，能够在通过OR方式连结两个或更多电源的48V共轨系统提供冗余功能以满足其需求。

  除了达到其它竞争产品两倍的200V额定电压之外，ZXGD3111N7还具有低关断阈值电压，紧密容差为-5mV至-1mV，从而在使用低RDS(ON) MOSFET器件时提升了轻负载条件下的稳定性，使得这款控制器成为同级领先的解决方案，能够在整个负载范围提供最高效率和可靠性。

  ZXGD3111N7经设计与FET器件共用，创建理想的二极管以替代通常用于共轨设计之阻隔二极管，其5A散热电流能力允许在并行OR’ing MOSFET中的栅极快速放电，其<600ns的快速关断规范可以避免共轨中的反向电流和任何电压降。这款器件具有业界领先的<50mW待机功耗，静态电源电流<1mA。