全球工控记忆体领导品牌宇瞻科技积极拓展工规记忆体产品线，并在策略伙伴叁星电子(SAMSUNG ELECTRONICS CO.,Ltd )全力支持下，推出首款搭载叁星塬厂工规等级颗粒的DDR4宽温系列记忆体模组，专为长时间运转于极端温度下之工业用设备提供强固型完整解决方案。结合Underfill加值技术，以及工规等级宽温零组件，宇瞻DDR4宽温系列记忆体模组具备耐温与高可靠性之特色，并整合抗震、抗热衝击(Thermal Shock)能力，扩大宽温记忆体产品应用的範围，满足严苛环境的工控产品需求。

  全工规等级零组件 高低温环境下稳定性再进击

  为了在严峻恶劣环境中仍能维持高效稳定的运作性能，DDR4宽温系列记忆体模组不仅採用叁星塬厂工规等级宽温颗粒，被动元件部份亦提升为全工规等级。宽温系列记忆体採用工规等级电容及电阻，最大耐温能力高达125℃的电容可使电压供应在高温环境下更稳定;工规等级的精密电阻(±1%)，误差率较低、匹配度较高，可大幅提升电路稳定性及耐用度。此外，为避免恶劣环境导致的讯号传输不稳定的问题，DDR4宽温记忆体模组PCB 加强镀金厚度达30μ的金手指设计。

  Underfill强固技术 提高产品可靠度

  Underfill底部填充技术运用于记忆体BGA 晶片底部，目的在强化产品抗震/抗热衝击能力。记忆体模组在面对高低温差较大的情况时下，硅材料做成晶片与一般基板(PCB)材质的热膨胀係数不同，因此在热循环的温度衝击试验(Thermal Shock Test)中常会有相对位移产生，造成焊点脱落或断裂，Underfill底部填充技术可有效提高锡球与电路板间焊点强度、降低热应力破坏、增加产品可靠度，进而提高产品使用寿命。

  宇瞻科技推出全新工业用宽温DDR4 SODIMM记忆体模组，容量最大可达16GB，频率支援2133/2400MHz，搭载高品质DDR4宽温颗粒及工规等级元件，採用Underfill技术，能适应两极化的工作温度，为系统带来无懈可击的耐用度。通过以极端冷热温度交替方式进行的温度衝击试验(Thermal Shock Test)，可于-40°C低温到85°C高温测试的温度範围内运作，适用于军事、车载、户外、强固型电脑等工业用设备解决方案。