日本产业技术综合研究所(简称“产综研”)2016年12月5日宣布，该所纳米电子研究部门试制出了使用硅隧道场效应晶体管(TFET)的环形振荡器，将在“IEDM 2016”上发表试制品的运行结果(演讲编号：19.4)。使用TFET的环形振荡器实现实际工作“为业界首次”(产综研)。另外还使用了使TFET的驱动电流增大的技术，工作频率提高到了未使用该技术时的约2倍。凭借这些成果，在实现TFET集成电路的道路上“前进了一大步”(产综研)。

  TFET在开关动作上利用穿隧效应，有望以0.2～0.3V的低电压来驱动。因此，产综研的目标是利用该TFET来实现低功耗的集成电路。而在集成电路的开发方面，不可或缺的正是环形振荡器。

  此次首先试制了使用一个n型和一个p型TFET的逆变器，确认了电压反转情况。之后在同一SOI基板上集成了n型和p型各23个、合计46个TFET，构成了环形振荡器。环形振荡器利用环状连接的逆变器连续反复做电压反转操作，在奇数次反转后返回最初的逆变器。通过反复实施这一处理，电压就会随时间发生变化，实现振荡工作。此次利用试制的环形振荡器确认了这样的振荡工作。