英飞凌科技Infineon Technologies 56DN06B02 600V无外壳焊接二极管的设计具有降低的损耗，适合中频电阻焊接和大电流整流器应用。二极管提供低导通电压，可连续提供约11kA的非常高的正向电流，比电流类型56DN06B01高15％。

稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 稳压二极管，是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件，基本结构与普通二极管一样，也有一个PN结。

变容二极管主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等，目前变容二极管已广泛应用在彩色电视机、调频接收机和各种通信设备中。除此之外，还可用变容二极管实现调频、扫描震荡、频率自动微调及相位控制等多种用途。

雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离，和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件;在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。由于雪崩二极管具有功率大、效率高等优点，而且是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，因此广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。

ROHM RSB12 150mW齐纳二极管是超小型模具类型（EMD3或EMD6）的低电容保护器件。这些器件的齐纳电压范围为9.6V（最小）至14.4V（最大），I Z = 5mA。

STMicroelectronics STTH25M06高压二极管是超快速恢复的功率整流器，适用于在重型应用中以高开关频率工作的升压或LLC钳位电路。这些二极管在高开关频率操作下具有低功耗，低泄漏电流，高结温和高过流能力。

Vishay VS-Cxx 650V功率SiC合并式PIN肖特基二极管专为高性能而设计，二极管的MPS结构可提供高强度的正向电流浪涌事件。这些二极管是高速硬开关和在宽温度范围内高效运行的最佳选择。

Comchip Technology BZT52Cx齐纳二极管的齐纳击穿电压范围为2V至75V，齐纳电流范围为0.045μA至150.0μA，齐纳动态阻抗范围为10Ω至255Ω。这些器件具有250°C / W的结点至环境热阻额定值，以及-65°C至+ 150°C的宽工作温度范围，具有很高的稳定性和可靠性

1N4007二极管，最大载流量为1A，可承受高达30A的峰值。因此，我们可以在小于1A的电路中使用它。反向电流为5uA，可以忽略不计。该二极管的功耗为3W。

1N4001二极管，最大载流量为1A，可承受高达30A的峰值。因此，我们可以在小于1A的电路中使用它。反向电流为5uA，可以忽略不计。它可以承受高达50V的反向电压峰值。

1N4002二极管，最大载流量为1A，可承受高达30A的峰值。因此，我们可以在小于1A的电路中使用它。反向电流为5uA，可以忽略不计。它可以承受高达100V的反向电压峰值。

对于IN4148二极管，最大载流量为300mA，可以承受高达2A的峰值。该二极管的特殊之处在于其在10mA的正向电流下具有8ns的快速恢复时间，因此该二极管用于涉及快速开关的地方。

Littelfuse AQ3522-01FTG双向TVS二极管集成了超低电容二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。Littelfuse AQ3522-01FTG双向TVS二极管是一款坚固耐用的组件，可以安全吸收超过IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平（4级，±8kV接触放电）的重复ESD冲击，而不会降低性能。

STMicroelectronics 汽车级 SiC 二极管是采用碳化硅基底的高性能功率肖特基整流器。这种宽带隙材料实现了高电压肖特基二极管设计，ST 也提供汽车级 650 V 整流器。

1N4003二极管，最大载流量为1A，最高可承受30A的峰值。因此，我们可以在小于1A的电路中使用它。反向电流为5uA，可以忽略不计。它可以承受高达200V的反向电压峰值。