具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V(CC)是否超出容差范围，一旦超出容差，锂电池便自动切换至供电状态，写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。

隐含时钟提供百分之一秒、秒、分、时、星期、日、月、年等时间信息。对少于31天的月份，月终日期可自动调节，包括对闰年的修正。隐含时钟格式可配置为24小时制或配合AM/PM指示的12小时制。 .

DS2433是一款4K位1-Wire EEPROM，用于识别和存储与产品相关的信息。这个标签或特殊产品信息可以通过最少的接口访问，例如微控制器的一个端口引脚。DS2433带有一个由工厂刻度的注册码，其中包括：48位唯一序列码、8位CRC校验码和8位家族码(23h),还带有4096位用户可编程EEPROM。读写DS2433所需的电源完全取自于1-Wire通信线。存储器分为16页，每页256位。暂存器作为一个附加页面，在写存储器时可用作缓冲器使用。数据先被写入一个暂存器中，在此对其进行经校验。随后采用复制暂存器命令将数据传送到存储器中。这一过程可保证修改存储器内容时数据的完整性。64位注册码为每个器件提供了一个保证唯一的标识，确保每个器件的绝对可追溯性，当有多个DS2433同时挂接在总线上并联形成本地网络时，可作为器件的节点地址使用。数据按照1-Wire协议串行传送，仅需一条数据线和一条地线。PR-35以及SOIC封装提供了一种紧凑的结构，允许采用标准安装设备在印刷电路板上安装和连接器件。典型的应用包括存储校准系数、电路板标识、以及产品修正状态。.

DS1410K开发工具包包含完成DS1410E集成所需的所有软件和硬件我按钮支架和相应的我按钮放入应用程序。

MAXQ610是一款低功耗、16位MAXQ 微控制器，设计用于通用遥控器、消费类电子和白色家电等低功耗产品。 MAXQ610结合了强大的16位RISC微控制器和集成外设，包括两个USART和一个SPI 主/从通信接口，以及能够产生载波频率的IR模块和灵活的复用键盘控制I/O。

MAXQ610包含64KB闪存和2KB数据SRAM。通过安全MMU提供知识产权保护(IP)，该安全MMU可支持多种授权等级配置，保护代码不被复制和进行逆向工程。授权等级使厂商可以提供MAXQ610运行的库文件和应用程序，并通过授权限制对数据和代码的访问。

为了在低功耗电池供电产品中维持有效状态，MAXQ610包括一个超低功耗停止模式(0.

MAX603/MAX604低压差，低静态电流，线性稳压器供电5V, 3。

MAX8550A内部集成了一路用于产生V(DDQ)的同步buck PWM控制器，一路用于产生V(TT)源出和吸入电流的LDO线性稳压器以及一路用于产生V(TTR)的10mA基准输出缓冲器。Buck控制器驱动两个外部n沟道MOSFET，可由2V至28V输入电压产生低至0.

DS1867具有两个256位电位器，每个位置设置为8位值，并存储在芯片上的非易失性存储器中。

DS1386为非易失静态RAM，具有完备的实时时钟(RTC)、闹钟、看门狗定时器以及间隔定时器，所有存储单元均可按照单字节宽度格式访问。DS1386内含一块锂电池和一个石英晶振，无需任何外部电路。数据保存在8k x 8或32k x 8位存储器内，时间保持寄存器可按照与单字节宽度静态RAM相同的方式进行读、写操作。时间保持寄存器位于存储器的前14个字节，通过智能控制电路维持RAMified时间保持器内的数据，智能控制电路可以检测V(CC)的状态，一旦V(CC)超出容差便为存储器提供写保护。在没有V(CC)供电时，锂电池最少可保存数据和时钟十年。时钟信息包括百分之一秒、秒、分、时、星期、日、月、年，而对少于31天的月份，月终日期可自动调节，包括对闰年的修正。

RAMified计时器格式可配置为24小时制或配合AM/PM指示的12小时制。看门狗定时器提供闹钟中断及0.

DS3984是一款4路冷阴极荧光灯(CCFL)控制器，用于为TV和PC监视器的液晶显示器(LCD)提供背光。DS3984支持1至4个灯的配置，多个DS3984控制器可级联支持4个以上的灯。.

MAX1489E四路低功率线接收机专为EIA/TIA-232、EIA/TIA-562和CCITT V而设计。

MAX1115/MAX1116低功耗8位数字转换器(adc)具有内部跟踪/保持(T/H)，参考电压，V(DD)监视器，时钟和串行接口。

MAX1190是一款3.

DS1258 128k x 16非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照16位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V(CC)是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1258器件可以用来替代利用各种分立元件构建的128k x 16非易失存储器。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 .

MAX4230-MAX4234系列单/双/四、高输出驱动CMOS运放具有200mA的峰值输出电流，可满摆幅输入、输出，工作于2.