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IR2110是一种高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立高端和低端基准输出通道。IR2110的工作电源电压范围为10至20伏,输出电流为2.5A。IR2110采用14引脚通孔PDIP封装和16引脚表面贴装SOIC封装。
只需更换驱动IC,就可使硅IGBT的损耗降低约30%——英飞凌科技公司成功开发出了这一技术。硅IGBT的实际产品已有20多年的历史,性能提高空间在逐年缩小。因此,仅靠IGBT的更新换代,已经无法像以前那样大幅降低损耗。而只需更换驱动IC就可将损耗降低30%,这对IGBT用户而言无疑相当有吸引力。英...
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