英飞凌的CoolMOS高压MOSFET专为解决工业应用中的高效软开关拓扑而设计

Infineon Technologies的EVAL-M5-IMZ120R-SIC电动机驱动评估板为基于1200V CoolSiC MOSFET的电动机驱动应用提供了参考设计。EVAL-M5-IMZ120R-SIC电机驱动评估板的开发旨在为客户在设计应用的第一步中提供支持，这些应用采用分立封装的CoolSiC MOSFET

Infineon Technologies的650 V, 40 A IGBT是一个TO-247包提供

Infineon Technologies TLD5099EP_VB2G电压模式评估板旨在在中等功率应用的电压模式升压至接地拓扑中评估TLD5099EP控制器。

英飞凌科技REF-ICL5102-U52W-CC演示板是一款低成本的PFC+LCC LED驱动器，用于不可调光的室内照明应用。发光二极管可以在三个固定电平之间切换。这个演示板具有开环LCC设计，带有狭窄的LED电流扩展和集成的LCC变压器。...

英飞凌科技的碳化硅MOSFET解决方案，为能源智能世界

英飞凌的TLE4922单霍尔速度传感器(TIM)

英飞凌科技的700v CoolMOS P7具有革命性的高压功率mosfet技术

英飞凌技术公司的3D磁传感器专门用于空间关键应用，如微型电机中的无刷直流整流或控制元件

英飞凌的高电压超结MOSFET谐振高功率应用

Infineon Technologies REF-VACUUM-C101-2ED参考设计采用IMC101T iMOTION电机控制IC，2ED2304 EiceDRIVER SOI半桥栅极驱动器和BSC030N04NS OptiMOS快速开关MOSFET。该参考设计演示了英飞凌的薄膜SOI（绝缘体上的硅）和先进的运动控制引擎（MCE 2.0）技术，这些技术可用于低压，永磁电动机，驱动速度高达120KRPM，逆变器部分额定值为30V，25A。

英飞凌的BCR602是低成本轻型发动机解决方案的完美匹配

英飞凌700v和800v MOSFET集成准谐振反激式控制器

英飞凌的XENSIV TLE5014角度传感器提供了最高的功能安全分级与易于使用的概念

英飞凌集成电源模块的设计电压可达690 VRMS，输出电流可达1550臂