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三星电子(Samsung Electronics)2013年8月6日宣布,已开始量产全球首款三维单元构造的NAND闪存“Vertical NAND(V-NAND)”。该产品可用于消费类电子产品及工业设备的嵌入式NAND存储器...
东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布,该公司已经开发出第二代19纳米工艺技术,该技术将于本月晚些时候用于量产每单元2比特的64吉比特NAND存储芯片。 东芝已经使用该新一代技术开发出全球最小的每单元2比特的64吉比...
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