三星电子（Samsung Electronics）2013年8月6日宣布，已开始量产全球首款三维单元构造的NAND闪存“Vertical NAND（V-NAND）”。该产品可用于消费类电子产品及工业设备的嵌入式NAND存储器以及SSD。 

       V-NAND采用（将电荷存储在氮化膜里的）电荷捕获式三维单元构造。单元堆叠层数为24层，采用三星自主开发的蚀刻技术，一次性完成所有开孔加工，降低了制造成本。据说能够实现现行20nm工艺浮栅型平面NAND闪存2倍以上的集成度，此次的量产产品的单芯片容量达到128Gbit。另外，与10nm工艺的浮栅型NAND闪存相比，可将工作可靠性提高至2～10倍，写入速度提高至2倍。三星表示，将来还有望实现Tbit级别的大容量化。 

       现行的平面型NAND闪存在微细化的同时浮栅间距变得非常小，单元间的干扰问题越来越严重。作为超越微细化极限的技术，以三星及东芝为首的NAND闪存企业开始推进3D NAND闪存的开发，而三星率先开始量产。此次三星公布量产消息后，估计各大NAND闪存企业很可能会将3D NAND的量产日程提前。