具有超低VF, 20V反向直流电压(VR)， 3A整流正向电流(IO)。

集成两种颜色，黄绿和红色，在一个紧凑的3412(1305)封装。

特性VDSS 60V，±15.a ID, 38毫欧低导通电阻(RDS(on))， 14W功耗。

正向电压小，反向电流小，容量小，可靠性高。

罗姆的第四代碳化硅mosfet旨在为苛刻的应用提供无与伦比的效率和性能。

具有高可靠性，超低开关损耗和大电流过载能力。

ROHM的BD9xxN1系列汽车LDO稳压器在输出电容为1 μF或更小的应用中实现稳定运行。

为汽车系统提供广泛的产品组合和解决方案。

单n沟道MOSFET高压负载开关，具有34V可变击穿电压。

ROHM Semiconductor RFx30TZ6S和RFx60TZ6S超快速恢复二极管是硅外延平面二极管，提供峰值反向电压650V和整流正向电流范围从30A到60A。

AEC-Q101合格齐纳二极管优化汽车电压调节。

具有宽共模电压范围从-0.2V至26V和±1%(最大)增益精度。

ROHM的BD91N01NUX集成了USB Type-C CC检测，包括插头连接，分离，方向，以及电源接收器侧端口的电流值。

发射宽度窄，能量转换效率高。

阴极普通双型低VF二极管与40V反向直接电压在D²PAK或DPAK封装。