Vishay Siliconix的SQJ200EP和SQJ202EP mosfet在双非对称电源包

采用表面贴装MSOP-8封装的新款双通道单拉单掷模拟开关采用1.8V～5.5V单电源，导通电阻为2.5Ω日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于切换模拟和数字信号的单片双路单拉单掷模拟开关 --- DG723。新器件具有提高信号完整...

Vishay 推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET?技术延伸到TO-220、TO-...

Vishay Siliconix负载开关具有宽输入电压范围，反向阻塞能力，不需要偏置功率轨道

2010 年 11 月 4 日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET—— SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷减小到216nC，...

Vishay高性能单刀双掷(SPDT)模拟开关设计用于1.65 V至5.5 V的单电源轨运行

Vishay的VRPower集成DrMOS power stages为笔记本电脑、超级本和台式机提供高功率密度和效率

Vishay推出4.5 V至60 V buck稳压器，在恶劣环境下提供坚固耐用、可靠的运行